電源部は自分で考えたものでも何とかなりそうなので、思いの程を絵に書いてLTspiceでシミュレートしてみた。
■Bluetooth 用 12Vリップルフィルター部
6.3Vのトランスの巻き線から12Vにするため倍電圧整流して、ツェナーがなかったので抵抗で12Vに減圧してみて、トランジスタによるリップルフィルターをつくる。トランジスタ（電流増幅）とFET(電圧増幅)の差があり、分圧用の抵抗値(R4とR5の比)は頭ではFETを想定して設定していた。しかし、シミュレートしてみると思い違いに気が付いた。シミュレートして良かったと思う。
■ツェナー/トランジスタによる30Vのリップルフィルター部
安定化されたB電源(158V)から減圧してツェナーとトランジスタによって30Vのリップルフィルター作る。6DJ8以外の6N6P/7119/6350/ミニワッターと同じ。
図では、変なところにダイオードD1が1個あるが、影響を与えないのでそのままとする。供給電圧は、29.4Vになるように、出力側に抵抗を入れて最終調整が必要だが、ここには記載していない。
■特記 ダイオード/トランジスタの温度特性
一般的にシリコンダイオードの場合、温度が1˚C上昇すると、順方向電圧VFは約2mV減少します。(-2mV/˚C)
一般的にトランジスタのベースエミッタ間電圧VBEは1˚Cが上がると、約2mVが下がると言われています。(-2mV/˚C)
30VのZD：30VのZDは25mV～30mV/˚Cの温度特性
（ZDは5Vが温度特性がニュートラルになり、電圧が上がると電圧に比例して増す。）
焼石に水ですが、温度補償でシリコンを2つ入れてみました。
ZDの温度特性は以下の資料の11～12ページにある。
後日追記
ベース電圧：基準電圧側（シリコンダイオード2個とZD側）21mV～26mV/˚C
VBE ： 相対的には-2mV/˚C
合算すると、エミッタ電圧は、19mV～24mV/˚C
仮に、ケース内温度が25˚C→45˚Cに20˚Cj上昇すると、
エミッタの出口の電圧は、380ｍＶ～480mV上昇。30.7V→31.1V程度になる。
初段の電圧上昇によって
真空管側は バイアス浅くなる。電流増える。
カソード電圧が増える。 プレート電圧が減る。
負荷直線上を左上に移動するイメージか？
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| BlueTooth 付きの 6DJ8全段差動PPミニワッター2017案 |
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AC6.3V電源から、DC12Vを得る 電源系のスケマ ±0.1VのWhiteNoiseを入れた。 |
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| 過渡応答特性 20秒間 グレイ：トランジスタのエミッタ電圧 ブルー：トランジスタのベース電圧 ピンク：平滑直後の電圧 |
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| DC158V(B1電源)からDC30V電源(B2)を生成 |
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| こちらは±2.5VのWhiteNoiseを入れてみた。 |
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