今日、気が付いたことがある。
■高電圧部から低電圧部へ渡すとき。
①単純に、必要な電流を考慮して抵抗で間を繋ぐ。
(まあ、これのみの回路は無いと思うけど。)
①’ ①の拡張化 低電圧側でツェナーダイオードを用いて定電圧化。
(電流の余裕はZDにfeed、500mW程度の定格電力なので、30Vとして10mA程度が上限)
②トランジスタによるリップルフィルタを介して繋ぐ。(電流の余裕はTRにfeed)
電流が一定なら、とか、定常状態なら、と言う条件がつくが、どれも同じ結果が得られるだろう。
それとは別に、電源のインピーダンスというものがあることは字面を理解していた。
ぼーっとウェブを眺めていた時に、他の人の意見に電源系の事に思いが行った。
以下の様なことだ。
■他の人の書いているミニワッターの改修（エミッターフォロワ）
何で、初段にTRのエミッターフォロワを付けると音が良くなると書いているのか？(低域が豊かになる様な記述) 教科書的な回答では高音域が伸びるハズ？
何で、初段にTRのエミッターフォロワを付けると出力が上がるのだろうか？
TRのエミッターフォロワの御利益はインピーダンスを下げることではないの？
僕の 漠とした疑問の数々。
①’ の例 シャント型の簡易定電圧電源
6DJ8等の差動ミニワッタで30V電圧を供給するときに、
簡易電源として、ツェナーダイオードで定電圧を作る例が示されている。
ぺるけさんの説明を引用させていただく。
「初段電源は、12.1Vと17.3Vのツェナダイオードによるシャント型の簡易定電圧電源です。158Vから10.25kΩ（＝22kΩ//22kΩ//150kΩ）のドロップ抵抗によって29.4Vまで落としますので、ドロップ抵抗には12.5mAが流れます。左右の差動回路が4.2mA×2＝8.4mAを持っていきますから、残った4.1mAがツェナダイオードに流れてシャント型の簡易定電圧電源として機能します。」
......ZDに1mA feedするのが最低電流とすると、左右に3.1mAの余裕がある。
注) ZDは、データシートを見ると5mA程度流すと、安定して目標の電圧になるようだ。1mAは少ない。(2020/9/8)
② の例 6N6P では、トランジスタを介して定電圧を作成。
こちらも、ぺるけさんの説明を引用させていただく。
6N6P全段差動プッシュプル・ミニワッター2014
「A2級動作領域では、出力管にパルス性のグリッド電流が流れます。......(中略)......どれくらいの電圧降下があるか計算してみましょう。2SC3503の通常時のコレクタ電流は7.6mAです。6N6PがA2級動作をした時のグリッド電流の最大値は3.5～4mAで、これが2本分ですから7～8mAとなります。これらを総合すると2SC3503のコレクタ電流の最大値は15～16mAに達します。この時の5.6kΩにおける電圧降下は90Vにもなりますので、2SC3503のコレクタ電圧は90Vとなり、コレクタ～エミッタ間電圧は50V台まで下がります。逆算するとコレクタに入れられる抵抗値は9kΩくらいが限界ということになります。」
.....5.6kΩで7～8mA 9kΩくらいが限界から、電源に13mA 程度の余裕がある。
………(脱線)………抵抗も思ったより電流が多くなる。
抵抗を選ぶ時、1/3の電力容量以下にするのも意味がある。
■私の今までの考え
電源回路でのZDやTRの役割は、望みの電圧への調整と字面通りに理解していた。
TRは、電圧の微調整可能程度に思っていた。
「ZDやTRに余分な電流を喰わせて、アッチッチにするのは、悪である。（笑）
TRはヒートシンク無しで運用出来る様にするのが腕の見せ所だ。（笑）」
「ZDやTRの電流は稼動する最小電流とするのが美しい設計である。(ミニマリスト)」
程度の事を考えていた。（笑）
■気づいたこと
いざと言う時に電流をfeed出来る余裕が電源系には必要。
→
電源系のインピーダンスによる
→
有効に電源（電流）をfeed出来る仕組み作り
→
待てよ。初段がFETで電圧素子のFETでは 真空管のGridに電流をfeedする訳にはいかない。かな。
後段への電流feed＝A2動作が可能になる。
→
電流の余裕
程度の事を考えていた。（笑）
■気づいたこと
いざと言う時に電流をfeed出来る余裕が電源系には必要。
→
電源系のインピーダンスによる
→
有効に電源（電流）をfeed出来る仕組み作り
→
待てよ。初段がFETで電圧素子のFETでは 真空管のGridに電流をfeedする訳にはいかない。かな。
feed電圧に余裕があれば大丈夫？
→
TRによるエミッターフォロワを付け加えると真空管のGridに電流feedが可能になる。
→
TRによるエミッターフォロワを付け加えると真空管のGridに電流feedが可能になる。
（真空管のカソードフォロワも同じ？）
電圧素子：電流素子の役割分担ができる。
初段のFET電圧増幅（後段真空管のGridに電流をFeedすると電圧が線形でなくなる。）
TRによるエミッターフォロワ：真空管のGridに電流feedの役割（いざと言う時）
（電流を横流ししても上側に抵抗がないから電圧は変化しない。）
→後段への電流feed＝A2動作が可能になる。
→
電流の余裕
その御利益は、………後段の真空管のA2級化...高出力化…急激にヘコタレない。
理由不明だが、コンデンサを増やした時の様に低音域の充実。
(セパレーションの向上が低音域の充実に？)
理由不明だが、コンデンサを増やした時の様に低音域の充実。
(セパレーションの向上が低音域の充実に？)
→
電流の余裕のためには、hfeの大きなTRを配置したくなる。
(定常状態を考えるとベース電流の多寡なんて無視出来る程度なのに)
最後は、論点がズレてるね。(笑)
僕の頭の中では、今まで考えていない単独の機能と思っていたものが、
有機的に結びついた気がする。
(定常状態を考えるとベース電流の多寡なんて無視出来る程度なのに)
最後は、論点がズレてるね。(笑)
僕の頭の中では、今まで考えていない単独の機能と思っていたものが、
有機的に結びついた気がする。
